走査型電子顕微鏡 / 集束イオンビーム走査電子顕微鏡複合装置
低損傷走査型分析電子顕微鏡（JSM-7500FA）
| 加速電圧 | ～30kV |
|---|---|
| 電子銃 | 冷陰極電界放出型電子銃 |
| 像分解能 | ～1.0nm(15kV) ～1.4nm(1kV) |
| 像の種類 | 二次電子像 反射電子像 |
| 検出器 | 下方検出器 反射電子検出器 |
| その他 | GB(ジェントルビーム)機能有 |
冷陰極電界放出型の電子銃を使用していることから低加速電圧でも高い分解能が得られ、電子線に敏感な試料の観察にも適しています。
高分解能走査型分析電子顕微鏡（JSM-7800F-PRIME）
| 加速電圧 | ～30kV |
|---|---|
| 電子銃 | ショットキー型電子銃 |
| 像分解能 | ～0.7nm(15kV) ～3.0nm(100V) |
| 像の種類 | 二次電子像 反射電子像 |
| 検出器 | 下方検出器 上方検出器 反射電子検出器 EDS(JEOL JED-2300) CL(HORIBA MP-32 S) |
| その他 | GB(ジェントルビーム)機能有 非暴露対応可能 |
インレンズショットキー電解放出型の電子銃を採用しており、高い分解能と大照射電流での安定した分析が可能な装置です。
高分解能走査型分析電子顕微鏡(JSM-IT800SHL)
| 加速電圧：0.01～30 kV | ・加速電圧 0.5～2.9 kVは10 Vステップ |
|---|---|
| 二次電子分解能 | ・1.0nm（加速電圧15kV, 通常） ・0.5nm（加速電圧15kV） ・0.7nm（加速電圧1kV） ・0.9nm（加速電圧500V） |
| 写真倍率 | ・×10 ～ 2,000,000 |
| プローブ電流 | ・数ｐA～500ｎA（30ｋV） ・数ｐA～100ｎA（5ｋV） |
| エネルギー分散形X線分析装置 | ・検出器：シリコンドリフト検出器 100ｍｍ2 ・エネルギー分解能：129 eV ・検出可能元素：Be ～ U |
| 検出器 | ・シンチレータ反射電子検出器（SBED） ・上方電子検出器（UED） ・透過電子検出器（TED） |
| その他 | ・BDモード(入射電子減速機能)有り ・低真空対応 ・非暴露対応 |
・1kV以下の低加速電圧でも高分解能観察を可能とする、インレンズショットキーPlus電子銃と電磁場重畳型対物レンズ(スーパーハイブリッドレンズ)を有する高性能な装置です。
・応答性・感度に優れ、1kV程度の低加速電圧でも材料コントラスト像を取得可能なシンチレーション型反射電子検出器を有しています。
・大口径100mm2のEDS検出器により高速度元素マッピングや低電流での元素分析が可能です。
・多様な観察モードや検出器を有しており、目的に応じて様々な試料の観察・分析が可能です。観察条件はスタッフがサポートします。
高分解能走査型電子顕微鏡（JSM-7000F（EBSD））
| 加速電圧 | ～30kV |
|---|---|
| 電子銃 | インレンズショットー電解放出型 |
| 像分解能 | ～1.2nm(30kV) |
| 像の種類 | 二次電子像 反射電子像 |
| 検出器 | 下方検出器 反射電子検出器 EBSD |
各種の試料の表面形態の高分解能観察が可能な他、EBSDによる結晶方位解析を行えます。
低真空走査型電子顕微鏡（JSM-6510LA）
| 加速電圧 | ～30kV |
|---|---|
| 電子銃 | 熱電子銃 |
| 像分解能 | ～3.0nm(30kV) ～15.0nm(1kV) |
| 試料室内気圧 | 10～270Pa |
低真空環境で観察でき、導電処理ができない試料も観察可能です。
電子顕微鏡用試料作製装置FIB XVision200TB（FIB-SEM使用）
XVision200TB（日立ハイテクノロジーズ）
| FIB 分解能 | 4nm@30kV （加速電圧：1-30kV） |
|---|---|
| SEM 分解能 | 3nm@5kV （加速電圧：1-30kV） |
| Arイオン銃 | 加速電圧：1kV |
| 試料ステージ | 最大8インチ対応 |
TEM試料作製および断面観察(Cut&See)
集束イオン／電子ビーム 複合ビーム加工観察装置（JIB-PS500i）
日本電子株式会社
| FIB（収束イオンビーム） | ・イオン源：Ga液体金属イオン源 ・加速電圧：0.5～30kV ・倍率：×50～×300,000 ・イオンビーム加工形状：矩形、円、多角形、ライン、スポット、ビットマップ図形 |
|---|---|
| SEM（電子ビーム） | ・加速電圧：0.01～30kV ・倍率：×20～×1,000,000 ・像分解能：0.7nm（加速電圧15kV）、1.0nm（加速電圧1kV） ・検出器：二次電子検出器 (SED)、上方電子検出器 (UED)、インレンズ反射電子検出器 (iBED)、リトラクタブル反射電子検出器（RBED） |
・ 高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
・ 高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
・ インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 500nA の大電流による安定した高速分析が可能
・ STEM観察が可能（BF,HAADF）