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設備案内

集束イオンビーム走査電子顕微鏡複合装置

低損傷走査型分析電子顕微鏡(JSM-7500FA)

低損傷走査型分析電子顕微鏡(JSM-7500FA)

加速電圧 ~30kV
電子銃 冷陰極電界放出型電子銃
像分解能 ~1.0nm(15kV)
~1.4nm(1kV)
像の種類 二次電子像
反射電子像
検出器 下方検出器
反射電子検出器
その他 GB(ジェントルビーム)機能有

冷陰極電界放出型の電子銃を使用していることから低加速電圧でも高い分解能が得られ、電子線に敏感な試料の観察にも適しています。

高分解能走査型分析電子顕微鏡(JSM-7800F-PRIME)

高分解能走査型分析電子顕微鏡(JSM-7800F-PRIME)

加速電圧 ~30kV
電子銃 ショットキー型電子銃
像分解能 ~0.7nm(15kV)
~3.0nm(100V)
像の種類 二次電子像
反射電子像
検出器 下方検出器
上方検出器
反射電子検出器
EDS(JEOL JED-2300)
CL(HORIBA MP-32 S)
その他 GB(ジェントルビーム)機能有

インレンズショットキー電解放出型の電子銃を採用しており、高い分解能と大照射電流での安定した分析が可能な装置です。

高分解能走査型電子顕微鏡(JSM-7000F(EBSD))

高分解能走査型電子顕微鏡(JSM-7000F(EBSD))

加速電圧 ~30kV
電子銃 インレンズショットー電解放出型
像分解能 ~1.2nm(30kV)
像の種類 二次電子像
反射電子像
検出器 下方検出器
反射電子検出器
EBSD

各種の試料の表面形態の高分解能観察が可能な他、EBSDによる結晶方位解析を行えます。

低真空走査型電子顕微鏡(JSM-6510LA)

低真空走査型電子顕微鏡(JSM-6510LA)

加速電圧 ~30kV
電子銃 熱電子銃
像分解能 ~3.0nm(30kV)
~15.0nm(1kV)
試料室内気圧 10~270Pa

低真空環境で観察でき、導電処理ができない試料も観察可能です。

FIB JIB-4600F(FIB加工)

FIB JIB-4600F(FIB加工)

JIB-4600F(日本電子)

FIB イオン源 Ga
FIB 加速電圧 1~30kV
SEM 加速電圧 0.2~30kV
像分解能 1.2nm~3.0nm

高性能FIB-SEMによりピンポイントでの断面作製と加工状況のリアルタイムモニタリングが可能。
*現在TEM薄膜試料作製は不可。XVision200TBをご利用ください。

電子顕微鏡用試料作製装置FIB XVision200TB(FIB-SEM仕様)

電子顕微鏡用試料作製装置FIB XVision200TB(FIB-SEM仕様)

XVision200TB(日立ハイテクノロジーズ)

FIB 分解能 4nm@30kV
(加速電圧:1-30kV)
SEM 分解能 3nm@5kV
(加速電圧:1-30kV)
Arイオン銃 加速電圧:1kV
試料ステージ 最大8インチ対応

TEM試料作製および断面観察(Cut&See)