集束イオンビーム走査電子顕微鏡複合装置
低損傷走査型分析電子顕微鏡（JSM-7500FA）
| 加速電圧 | ～30kV |
|---|---|
| 電子銃 | 冷陰極電界放出型電子銃 |
| 像分解能 | ～1.0nm(15kV) ～1.4nm(1kV) |
| 像の種類 | 二次電子像 反射電子像 |
| 検出器 | 下方検出器 反射電子検出器 |
| その他 | GB(ジェントルビーム)機能有 |
冷陰極電界放出型の電子銃を使用していることから低加速電圧でも高い分解能が得られ、電子線に敏感な試料の観察にも適しています。
高分解能走査型分析電子顕微鏡（JSM-7800F-PRIME）
| 加速電圧 | ～30kV |
|---|---|
| 電子銃 | ショットキー型電子銃 |
| 像分解能 | ～0.7nm(15kV) ～3.0nm(100V) |
| 像の種類 | 二次電子像 反射電子像 |
| 検出器 | 下方検出器 上方検出器 反射電子検出器 EDS(JEOL JED-2300) CL(HORIBA MP-32 S) |
| その他 | GB(ジェントルビーム)機能有 |
インレンズショットキー電解放出型の電子銃を採用しており、高い分解能と大照射電流での安定した分析が可能な装置です。
高分解能走査型電子顕微鏡（JSM-7000F（EBSD））
| 加速電圧 | ～30kV |
|---|---|
| 電子銃 | インレンズショットー電解放出型 |
| 像分解能 | ～1.2nm(30kV) |
| 像の種類 | 二次電子像 反射電子像 |
| 検出器 | 下方検出器 反射電子検出器 EBSD |
各種の試料の表面形態の高分解能観察が可能な他、EBSDによる結晶方位解析を行えます。
低真空走査型電子顕微鏡（JSM-6510LA）
| 加速電圧 | ～30kV |
|---|---|
| 電子銃 | 熱電子銃 |
| 像分解能 | ～3.0nm(30kV) ～15.0nm(1kV) |
| 試料室内気圧 | 10～270Pa |
低真空環境で観察でき、導電処理ができない試料も観察可能です。
FIB JIB-4600F（FIB加工）
JIB-4600F（日本電子）
| FIB イオン源 | Ga |
|---|---|
| FIB 加速電圧 | 1～30kV |
| SEM 加速電圧 | 0.2～30kV |
| 像分解能 | 1.2nm～3.0nm |
高性能FIB-SEMによりピンポイントでの断面作製と加工状況のリアルタイムモニタリングが可能。
＊現在TEM薄膜試料作製は不可。XVision200TBをご利用ください。
電子顕微鏡用試料作製装置FIB XVision200TB（FIB-SEM仕様）
XVision200TB（日立ハイテクノロジーズ）
| FIB 分解能 | 4nm@30kV （加速電圧：1-30kV） |
|---|---|
| SEM 分解能 | 3nm@5kV （加速電圧：1-30kV） |
| Arイオン銃 | 加速電圧：1kV |
| 試料ステージ | 最大8インチ対応 |
TEM試料作製および断面観察(Cut&See)