物理特性/電気特性/表面計測装置
多機能走査型X線光電子分光分析装置XPSwithAES （PHI 5000）VersaProbeⅢ
多機能走査型X線光電子分光分析装置XPSwithAES PHI5000 VersaProbeⅢ / アルバックファイ
| 最小ビーム径 | 10μm以下 |
|---|---|
| 最高エネルギー分解能 | 0.5eV以下(Ag3d 5/2) |
| 最大感度 | 1,000,000cps(Ag3d 5/2の半値幅1.0eVのとき) |
| 到達圧力 | 6.7×10-8Pa以下 |
・ 走査型マイクロフォーカスＸ線源による微小領域分析（最小分析領域10μm）
・ ＳＸＩ(Scanning X-ray Image)により、正確・迅速に微小な分析位置を特定
・ 低エネルギー電子とイオンの同時照射により、絶縁物試料を容易に帯電中和
・ 5軸（X、Y、Z、Tilt、Rotation）モータ駆動による多点分析
・ AES（オージェ分光法）用走査電子銃により、微小領域（最小100nm）の微小領域の測定も可能
多機能走査型X線光電子分光分析装置XPS （PHI 5000）VersaProbeⅠ
PHI 5000 VersaProbe / アルバックファイ
| 最小ビーム径 | 10μm以下 |
|---|---|
| 最高エネルギー分解能 | 0.5eV以下(Ag3d 5/2) |
| 最大感度 | 1,000,000cps(Ag3d 5/2の半値幅1.0eVのとき) |
| 到達圧力 | 6.7×10-8Pa以下 |
・ 走査型マイクロフォーカスＸ線源による微小領域分析（最小分析領域10μm）
・ ＳＸＩ(Scanning X-ray Image)により、正確・迅速に微小な分析位置を特定
・ 低エネルギー電子とイオンの同時照射により、絶縁物試料を容易に帯電中和
・ 5軸（X、Y、Z、Tilt、Rotation）モータ駆動による多点分析
電子スピン共鳴装置（JES-FA300）
JES-FA300 / 日本電子
| 測定帯域 | Xバンド約9GHz/Qバンド約35GHz |
|---|---|
| 最低計測可能温度 | 10K以下 |
・電子スピン状態計測を行う装置です。
・電界誘起キャリア密度・ダイナミクスの評価が可能です。
・磁気共鳴やg値の磁場依存性の評価が可能です。
分光エリプソメータM-2000U（J.A.Woollam）
M-2000DI-T / ジェー・エー・ウーラム・ジャパン
| 仕様 | 回転補償子型 |
|---|---|
| 測定波長 | 193～1690nm |
| チャンネル数 | 690同時計測 |
薄膜の複素屈折率及び膜厚の測定が可能です。
極限環境下電磁物性計測装置PPMS
PPMS-14LHattt / 日本カンタム・デザイン
| 仕様 | 14 T超伝導マグネット |
|---|---|
| 温度制御 | 1.9K～400K |
| 試料空間 | 25.4mm |
様々な測定オプションを備え、最大磁場14T・最低温度1.9K（３ヘリウムオプション使用時<0.4K）の極限環境下における物性測定を可能にします。また、時間の有効活用を可能にするため、高い水準の自動測定を提供しています。
・熱特性：比熱測定（熱容量）、熱輸送測定（熱伝導率・ゼーベック係数・メリット係数（ZT））
・電気特性：電気輸送特性、直流抵抗
・磁気特性：試料振動型磁力計（VSM）
・システム拡張機能：3ヘリウム冷凍機、試料回転機構
環境制御マニュアルプローバステーション
| 半導体特性評価システム | 4200-SCS |
|---|---|
| 強誘電体特性評価システム | FCE1EEA-200型 |
| 誘電体インピーダンス測定システム | ソーラートロン1260 |
| 極低温プローバー装置 | CPX-VF |
| 低温プローバ(CRX-4K) | 6K～350K |
| 高温プローバ(HCP-401/400) | 室温～400度 |
半導体特性解析、強誘電特性解析、インピーダンス解析などのデバイス特性、電気特性の評価が可能です。